全自動雙站化學吸附儀

CM8320系列全自動雙站化學吸附儀基于動態技術，可進行TPD(程序升溫脫附)、TPR（程序升溫還原），TPO（程序升溫氧化）、脈沖化學吸附測金屬分散度、蒸汽吸附、BET單點比表面積的物理吸附分析、多組分競爭性吸附，用于測定催化劑材料的酸堿量、酸堿強度、貴金屬分散度、氧化還原性能、多組分競爭性吸附等重要指標。

反應爐工作溫度范圍：室溫～1200℃

反應爐溫度測控方式：采用“床溫”和“爐溫”雙點測控方式

樣品溫度測控方式：獨立的溫度傳感測量與控制

檢測器類型：線性度良好的高靈敏熱導檢測器TCD

TCD的最大工作溫度：200℃

MFC數量： 2或者4

氣體管路數：8路氣體

氣體流速范圍：5～100 SCCM

程序升溫實時顯示

閥門狀態實時顯示

TCD (and 質譜 MS)狀態

具有系統危險狀態報警功能

多組分競爭性氣體吸附，可以進入4路氣體

蒸汽發生器: 可以選配蒸汽發生器，可以進行各種蒸汽化學吸附

LOOP環：可以選配3種體積以上的LOOP環，最小體積150微升

管路材質和管徑：配置1/8 英寸的SS 316不銹鋼管路和自動六通閥

管路保溫：儀器內部所有管線和控制閥門均加熱控溫以防止蒸汽的凝結和滯留

長寬高：110CM*63CM*83CM,功率：1500瓦，重量：150kg

CM8320系列全自動雙站化學吸附儀儀器特性：

儀器主機圖解

儀器選型表：

競爭性吸附
 
通過TPD或脈沖滴定等過程，可以測試樣品對于特定氣體吸附量。但在實際應用中，樣品所接觸到的氣氛通常更為復雜，不同氣體同時與樣品接觸時，吸附能力并非簡單的加和關系，而有可能表現出不同組分的競爭關系（X組分的存在有可能抑制樣品對于Y組分的吸附）或協調關系（X組分的存在有可能促進樣品對于Y組分的吸附）。因此對于實際應用場景，有必要針對更為復雜的氣體配比條件，測試樣品對于多組分氣體的實際吸附能力。
 
TPD：程序升溫脫附

樣品的表面活性位（例如酸中心）吸附探針分子（例如NH3）后，在載氣吹掃下進行程序升溫，記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPD測試譜圖。譜圖中探針分子的脫附峰的溫度對應活性中心的強度，譜圖中探針分子的脫附峰的面積對應活性中心的數量。

TPR/TPO：程序升溫還原/程序升溫氧化

TPR用于表征金屬催化劑的還原性。用一定比例的H2/Ar混合氣體作為載氣流過樣品床層并按照一定速率程序升溫。記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPR測試譜圖。譜圖中還原峰的溫度對應金屬中心的還原性能，譜圖中還原峰的面積對應金屬中心還原過程的耗氫量。
TPO與TPR類似，用氧化性氣體代替還原性氣體，用于測試金屬中心的氧化性能。

脈沖滴定

以脈沖方式向樣品表面定量注入特定的氣體，記錄載氣濃度的變化，未被吸附的氣體將流過樣品床層并被檢測器記錄。記錄載氣濃度的變化得到脈沖滴定譜圖，其中記錄到的峰對應于未被吸附的氣體的量，脈沖的次數對應于總脈沖量，兩者差減就是樣品的吸附量。脈沖滴定用于表征活性金屬面積，分散度，平均晶粒尺寸等參數。